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光通信是发展5G、数据中心、算力网络的基础设施和前提，在拉动有效投资、促进信息消费、赋能千行百业等方面具有重要作用。中国信息通信研究院主任工程师吴冰冰表示，光通信是坚实底座，而光电子芯片器件及模块是光通信的核心构成部分，重要性日益提升。

吴冰冰指出，也是在5G、数据中心、算力网络等新型业务及应用驱动下，数据流量爆炸式增长，掀起光电子芯片器件及模块行业新浪潮，高速率、集成化、大容量成为核心诉求；展望未来，三维集成、异质集成等新工艺持续演进，业界广泛探索CPO、线性驱动等降低能耗的新方案，空天地海一体化、通感一体化新应用也对芯片器件提出新型要求。

北京邮电大学研究员张磊认为，不同的应用场景（温度范围、速率、传输距离），需要不同的光模块解决方案。硅光、铌酸锂、化合物半导体需要找到合适的场景。“SiP光模块带宽与损耗受限，需要更多的电芯片辅助（预加重、预失真、数字信号处理）。LNOI光模块有自主可控的基底材料，目前没有规模化的代工厂，可靠性与良率待验证。而III-V方案目前仍然是光模块主力方案，在800G、Tbps及CPO后，可能需要与SiP配合。”

中国联通研究院专家 教授级高级工程师沈世奎博士建议，针对城域应用，尤其是边缘接入层，建议光模块厂商和设备厂商，聚焦DSP和光学部分的优化，开发和提供低成本的相干100G光模块及设备，持续推动DWDM技术不断下沉，从长距离骨干网，到城域网核心，再到城域边缘接入层，这是一脉相承的技术体系。

与此同时，业界需要进一步探讨和推进低成本100G城域相干技术，加强对于核心芯片和器件的攻关，尤其是DSP芯片等，推动城域边缘接入网络逐步从10G向100G升级演进，将相干100G技术从骨干网一直延伸至城域网络边缘，从而打造更具竞争力的全光底座。

产业准备：技术水平已经达到与国外齐头并进水平

客观来说，我国在核心芯片和器件方面一直处于追赶之势，张磊介绍，来到2023年之后，我国在25G、50G光模块的量产方面已经达到与国外齐头并进的水平。在100G单波和400G、800G方面我国也已有研发力量的投入，与国外差距不大。在核心光电子芯片方面，不管是传统的化合物半导体还是新型的硅光，我国与国际上都没有明显的差别。

海思光电子有限公司资深产品规划经理庄四祥表示，数据中心多路光互联场景高速发展，硅光迎来新的发展机遇。硅光技术通过多材料体系的集成来实现各个功能部件的最优，做到超高带宽、超高响应度和超低插损，以及在合封方面提供与电连接的金属化技术，实现高速光传输。并行多路场景和高速高密新架构将是硅光技术的用武之地。

上海新微半导体有限公司副总经理方瑞禹介绍，目前国内光电芯片厂商大多以IDM的运营模式为主，而新微半导体专注于代工模式，目标是为客户提供规模化、低成本和高质量的光电芯片代工服务。为给客户提供更优质的产品和服务，新微半导体在晶圆良率、成本控制、质量保障和保密措施等四个关键方面下足功夫。