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集成电路是通信和信息的基础，发展特征是线宽不断降低。从以前的180纳米到现在的45纳米、10纳米、7纳米，但是也遇到了一些新的挑战，包括特征尺寸有物理限制，当到3纳米、1纳米很难继续下去，另外电互联信号延迟、带宽受限，而且功耗密度不断上升。

“三年前在nature上有一篇文章，说摩尔定律已死，我们走入了后摩尔时代，如何发展集成电路和信息？”有两个方向：一是more and more Moore，二是More than Moore，一方面线宽不断降低，另一方面多元化、集成化，把集成电路和光电子集成起来，称之为硅基光电子或者硅基集成。

杨德仁强调，网络发展需要硅基集成。“由于硅基光电子有着重大的优势，在通讯数据中心，自动驾驶都有重大的应用背景和前景。美国、日本、德国，所有西方发达国家都投入了巨资进行研究，特别是美国前几年还专门成立了一个研究院做硅基光电子，英特尔累计投入超过40亿美元来从事硅基光电子工作。“

同时，硅基光电子已经形成了初步的产业，包括世界主要企业，国内腾讯、百度、阿里都在其中，而且材料光电子也形成了一个产业链。硅光光模块已经大规模应用在数据中心内，英特尔硅光模块出货量达到500万只，2026年预计硅光光模块占市场的30%-50%以上，硅基光电子已经成为蓬勃发展、即将爆发的新产业。但是在硅基光电子上包括光源、波导、调试、探测、集成一系列程序，最难的是硅的光源，到现在才解决了一半，问题在哪儿？

杨德仁指出，硅基光电子的光源一方面要发出激光在硅材料上，另一方面也要在集成电路兼容。但硅是间接半导体，由于物理性能的限制，硅不能发光，或者说发光效率极低，硅基光电子发光就成为一个世界的难题。

在这个难题上，全世界做了多样化的探索。到目前为止，室温电致发光效率太低，室温电泵激光还没有实现，难点在于如何实现硅上和集成电路的发光。

而利用集成电路的工艺导致发光，全世界都没有解决。但在这方面我国已做了很多探索，例如20年前由浙江大学举办了国内第一届硅基光电子材料与器件研讨会，已经连续举办了17届。目前中国的硅基光电子已经接近国际先进水平。在硅基的激光器上，也走入了世界先进水平，但还没有走入产业化。

演讲最后，他表示，硅基光电子是未来信息技术的重要方向之一，而硅基片间互连光源可以用键合技术，但硅芯片上光互连用光源依然是瓶颈，硅基量子点、硅基Ge/GeSn、硅基稀土发光是重要途径，但依然等待突破。“这需要全世界同仁的共同努力，可能在未来五年十年当中，我们真正能够解决硅基光电子上的光源问题。”